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等離子濺射儀工藝及技術

釋出時間☁☁│:2021-06-07      點選次數☁☁│:655
  濺射沉膜技術是以一定能量的粒子(離子或中性原子│╃╃·、分子)轟擊固體表面│▩,使固體近表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出固體表面的工藝↟☁▩。濺射只能在一定的真空狀態下進行↟☁▩。
  濺射工藝主要用於濺射刻蝕和薄膜沉積兩個方面↟☁▩。濺射刻蝕時│▩,被刻蝕的材料置於靶極位置│▩,受氬離子的轟擊進行刻蝕↟☁▩。刻蝕速率與靶極材料的濺射產額│╃╃·、離子流密度和濺射室的真空度等因素有關↟☁▩。濺射刻蝕時│▩,應儘可能從濺射室中除去濺出的靶極原子↟☁▩。常用的方法是引入反應氣體│▩,使之與濺出的靶極原子反應生成揮發性氣體│▩,透過真空系統從濺射室中排出↟☁▩。
  VTC-16-3HD是一款緊湊型CE認證的等離子薄膜濺射儀(直流普通型)│▩,基片Z大尺寸2英寸│▩,加熱溫度為500度和控制面板為觸控式螢幕模式↟☁▩。它可以濺射三種類型的靶材和放置樣品的直徑是50mm . 旋轉樣品臺│▩,可以依次在同一樣品上塗覆三種材料│▩,金靶│▩,銀│▩,銅, 它可以與真空泵│▩,不鏽鋼波紋管KFD25快速卸裝卡箍相連用.
  1.加熱樣品臺
  (1)一個外徑50 mm 的樣品臺, 可以移動三個位置
  (2)基片可以放在樣品臺上. 加熱溫度 500°C
  (3)PID控溫方式和觸控式螢幕面板│▩,控溫精度+/-10°C
  (4)zui長濺射時間不可超過5分鐘
  2.控制面板
  (1)控制面板為PLC│▩,4.3" 觸控式螢幕
  (2)一個控制面板可以控制所有的引數,包括真空度 , 電流 , 靶材位置 和 基片加熱溫度
  3.可選
  (1)KF25 真空介面│╃╃·、卡箍│▩,和600mm長不鏽鋼波紋管
  (2)120L/M旋片式真空泵(包含在儀器內)
    (3)不鏽鋼波紋管與KF-25真空介面相連線
  (4)各種高純度金屬靶
  (5)需要一個帶壓力調節器的氬氣瓶 (這個我們不提供)
  進氣口
  一個精密可調針閥安裝在進氣口│▩,以實現方便的調節進氣量

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