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  • GaN氮化鎵(GaN)晶體基片

    GaN易與AlN☁↟₪₪、InN等構成混晶·•₪✘•,能製成各種異質結構·•₪✘•,已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG(因為2-DEG面密度較高·•₪✘•,有效地遮蔽了光學聲子散射☁↟₪₪、電離雜質散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質低價位的氮化鎵晶體和基片✘·。

    訪問次數╃••╃╃:1033    產品價格╃••╃╃:面議    廠商性質╃••╃╃:生產廠家    更新日期╃••╃╃:2021-11-15

  • (MgAl2O4)進口鎵酸鋰(LiGaO2)晶體基片

    進口鎵酸鋰(LiGaO2)晶體基片

    訪問次數╃••╃╃:663    產品價格╃••╃╃:面議    廠商性質╃••╃╃:生產廠家    更新日期╃••╃╃:2021-11-15

  • (MgAl2O4)鋁酸鋰(LiAlO2)晶體基片

    鋁酸鋰(LiAlO2)晶體基片

    訪問次數╃••╃╃:773    產品價格╃••╃╃:面議    廠商性質╃••╃╃:生產廠家    更新日期╃••╃╃:2021-11-15

  • (MgAl2O4)鋁酸鎂(MgAl2O4)晶體基片

    鋁酸鎂(尖晶石)單晶廣泛應用於聲波和微波器件及快速IC外延基片✘·。同時研究發現它是好的III-V族氮化物器件的襯底✘·。MgAl2O4晶體由於很難維持它的單晶結構而難以生長·•₪✘•,經過幾年的努力·•₪✘•,目前科晶公司能夠提供世界上質量*尺寸的MgAl2O4晶體

    訪問次數╃••╃╃:1486    產品價格╃••╃╃:面議    廠商性質╃••╃╃:生產廠家    更新日期╃••╃╃:2021-11-15

  • AL2O3晶棒

    AL2O3晶棒

    訪問次數╃••╃╃:707    產品價格╃••╃╃:面議    廠商性質╃••╃╃:生產廠家    更新日期╃••╃╃:2021-11-15

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