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  • GaN氮化鎵(GaN)晶體基片

    GaN易與AlN▩╃、InN等構成混晶✘╃·☁,能製成各種異質結構✘╃·☁,已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG(因為2-DEG面密度較高✘╃·☁,有效地遮蔽了光學聲子散射▩╃、電離雜質散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質低價位的氮化鎵晶體和基片·╃╃。

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    廠商性質•·:生產廠家
    更新日期•·:2022-10-12
  • (MgAl2O4)進口鎵酸鋰(LiGaO2)晶體基片

    進口鎵酸鋰(LiGaO2)晶體基片

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    產品價格•·:面議
    廠商性質•·:生產廠家
    更新日期•·:2022-10-12
  • (MgAl2O4)鋁酸鋰(LiAlO2)晶體基片

    鋁酸鋰(LiAlO2)晶體基片

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    廠商性質•·:生產廠家
    更新日期•·:2022-10-12
  • (MgAl2O4)鋁酸鎂(MgAl2O4)晶體基片

    鋁酸鎂(尖晶石)單晶廣泛應用於聲波和微波器件及快速IC外延基片·╃╃。同時研究發現它是好的III-V族氮化物器件的襯底·╃╃。MgAl2O4晶體由於很難維持它的單晶結構而難以生長✘╃·☁,經過幾年的努力✘╃·☁,目前科晶公司能夠提供世界上質量*尺寸的MgAl2O4晶體

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  • AL2O3晶棒

    AL2O3晶棒

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    更新日期•·:2022-10-12
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